如何设计单片机的电源模块
发布日期:2020-10-23 06:02   来源:未知   阅读:

  新颖、功能奇特、性能先进、应用领域较为广泛等特点。详细介绍了两种新型特种单片开关电源模块的电路设计,一种是2.5W恒压/恒流式充电器模块,另一种是带

  5)其他专用开关电源,例如高速调制解调器(HighSpeedModem)电源、DVD电源等。

  特种单片开关电源有两种设计方案:第一种是采用通用单片开关电源集成电路(例如TOPSwitch-Ⅱ、TOPSwitch-FX、TOPSwitch-GX等系列),再配上电压控制环、电流控制环等外围电路设计而成的,其特点是输出功率较大,但外围电路复杂;第二种是采用最近问世的LinkSwitch系列高效率恒压/恒流式三端单片开关电源芯片,或选用LinkSwitch-TN系列、DPA-Switch系列单片开关电源专用IC[2],这样可大大简化电路,降低成本,适合构成中、小功率的特种开关电源。

  下面介绍一种由LNK500构成的2.5W恒压/恒流式充电器模块。它适用于手机电池充电器、个人数字助理(PDA,即Personal Digital Assistant)、便携式音频设备、电动剃须刀、家用电器的内置电源(如彩电的备用电源、偏置电源)等领域。

  1)采用高效率恒压/恒流式单片开关电源LNK500,交流输入电压范围是85~265V,当交流输入电压为265V时,漏电流《5μA,额定输出电压为5.5V,最大输出电流为0.45A,输出功率为2.5W。

  3)在峰值功率点,允许输出电压有±10%的误差,当初级电感量Lp的误差为±10%时,输出电流有±25%的误差。

  4)电路简单,价格低廉,该电源仅需23个元器件,不需要次级反馈电路,用初级电路即可实现恒流/恒压输出,允许采用低价格、小尺寸的EE13型磁芯。

  由LNK500构成2.5W恒压/恒流式充电器模块的内部电路如图1所示。FR为可自恢复熔断电阻器,它具有限流保护作用并能限制上电时的冲击电流。由VD1~VD4构成桥式整流,由电感L1、L2和电容C1、C2组成低功耗π型滤波器,能滤除电磁干扰。L2可采用3.3μH的磁珠。在LNK500内部功率MOSFET导通时,输出整流管VD6截止,此时电能就储存在高频变压器中。当功率MOSFET关断时,VD6导通,储存在高频变压器中的能量就通过次级电路输出。VD6采用1A/100V的肖特基二极管SB1100,R4和C7并联在VD6两端,能防止VD6在高频开关状态下产生自激振荡。C6为输出端滤波电容。R5为22kΩ的负载电阻。

  控制端的反馈电流由电阻R2来设定。刚启动电源时由控制端电容C4给LNK500供电,C4还决定了自动重启动频率。

  为了降低电磁干扰,高频变压器的初级设计了两个绕组,分别为NP1及NP2。NP2被称为“抵消绕组”(cancellation winding),它经过R3及C5接初级返回端,能降低初级电路中的电磁干扰。此外,在初、次级之间还需增加屏蔽层。

  高频变压器采用EE13型磁芯,配8引脚的骨架。初级绕组NP1用φ0.13mm漆包线mm的三重绝缘线匝。在初、次级绕组之间用3股φ0.25mm漆包线匝,作为屏蔽层。初级电感量LP=2.3mH(允许有±10%的误差)。高频变压器的谐振频率不低于300kHz。

  以太网(EthernetNetwork)是目前最常用的一种局域网。以太网电源简称POE(Power Over Ethernet),它仅通过一根以太网电缆即可同时为用户提供数据和供电电源,不需要再另外布线。以太网电源中的电源装置简称为PD,它具有以下特点:

  1)能识别信号阻抗 当一个输入电压加到PD时,它必须在规定电压范围内呈现正确的识别信号阻抗。当某个以太网设备请求供电时,首先给以太网发出2.5~10V的电压信号,有效的PD检测到此电压信号后,就将一个23.75~26.25kΩ的电阻置于供电回路上,电流会随输入电压而变化;通过检测该电流确认在以太网电缆终端有一个有效的以太网设备需要供电。如放置的电阻值在12~23.75kΩ或在26.25~45kΩ范围内,则认为该以太网设备有效但不需要供电。其他范围的电阻值则意味着所检测到的以太网设备无效。

  2)类型 PD有不同的类型,每种类型对应于一定的电流。例如,“0”类PD的电流为0.5~4mA。当PD检测有效信号之后,就对PD进行分类。具体方法是将送到网络链路上的电压升高到15.5~20.5V,使PD获得一个固定的电流,再根据电流范围完成PD分类。

  3)开关连接 连接以太网电源的开关主要有两种,一种是双极型晶体管开关,其电源效率较高,成本较低;另一种为MOSFET开关,其电源效率极高(可接近于100%)。

  下面介绍一种带以太网接口电路的同步整流式15WDC/DC电源变换器模块,可广泛用于网络及通信设备中。

  由双极型开关管和DPA424P构成15WPOE模块的内部电路如图3所示。该电源由两部分组成,即以太网接口电路(电路中用虚线框表示)和DC/DC电源变换器。模块中包含POE识别信号阻抗(24.9kΩ,直流2.5~10V)、“0类”类型电路(0.5~4mA,直流15~20V)。采用双极型晶体管开关或MOSFET开关时,POE接口的效率分别为η≥87%或η≥97%。

  该以太网电源接口电路的工作过程可分为三个阶段:在第一阶段,当输入电压加到PD时,它必须在直流2.5~10V的电压范围内呈现正确的识别信号阻抗,电阻R13(24.9kΩ)可提供这个阻抗;在第二阶段,当直流输入电压为15~20V时,PD用一个规定的电流来识别装置类型,例如“0类”电流范围是0.5mA~4mA,这也由R13来完成;在第三阶段,通过双极型开关管(VT)将输入电压接到DC/DC电源变换器上,该电源变换器允许输入超过30V(28V+UR14)的直流电压。此时稳压管VDZ1被反向击穿,通过R14给VT提供基极电流。R15的作用是防止在其他条件下开启电源。一旦开启电源,辅助绕组输出的高频电压信号就经过耦合电容C3、整流管VD2和限流电阻R16来提高VT的直流偏压,使基极电流增大。在负半周时VD1导通,可确保加到基极上的偏压总为正压。

  如图4所示为使用MOSFET(V3)的开关电路。VDZ4及VDZ5分别采用28V及15V稳压管。当输入电压超过28V时VDZ4被反向击穿,使V3导通,将电源开启。当输入电压超过43V时VDZ5也被反向击穿,能限制V3的栅-源电压,起到保护作用。R15能防止V3被误导通。该以太网电源模块的识别信号阻抗与输入电压的关系曲线 使用MOSFET的开关电路

  =33.3V,UOV=86.0V。R1还能自动减小最大占空比,防止磁饱和。R2为极限电流设定电阻,取R2=13.3kΩ时,所设定的漏极极限电流ILIMIT′=0.57ILIMIT=0.57×2.50A=1.425A。稳压管VDZ2可将漏极电压箝位在安全范围以内。V1的等效栅极电容能给高频变压器提供最佳复位。

  场效应管V2及V1构成5V主输出的电容耦合式同步整流器。稳压管VDZ3起箝位作用。在没有开关信号时,通过下拉电阻R13使V2关断。储能电感L2回扫绕组的电压经过VD4和C9整流滤波后,获得20V输出。高频变压器次级绕组(8-5)的电压经过VD3和C10整流滤波后获得7.5V输出。将6.8V稳压管VDZ4和二极管VD7反极性串联后作为7.5V输出的负载电阻,以改善空载稳压特性。空载时输出电压一旦超过7.5V,VDZ4就被反向击穿,利用VDZ4和VD2上的压降可将输出电压箝制在大约7.5V上。正常工作时,辅助绕组的输出电压经过VD6、C5整流滤波后给光耦合器PC357提供12~15V的偏压。R5、VD8和C16组成软启动电路,能防止在启动过程中输出过冲。

  (1)选择双极型开关管VT,要能承受较高的电压并提供足够的电流,其电流放大系数要足够高。(2)选择R14以提供足够大的基极电流,确保能够开启DC/DC电源变换器。

  P29C型双极型中功率开关管,其主要参数如下:集电极—发射极击穿电压UU(BR)CEO=100V,基极最大允许电流IBM=0.4A,最大集电极电流ICM=1A,集电极最大功耗PCM=30W,hFE=75倍,fT=3.0MHz。

  (5)选择VDZ5的稳压值以限制V3的最大栅-源电压(典型值应为15V)。(6)推荐采用Philips公司生产的IRF530N型N沟道功率MOSFET。其主要参数如下:漏-源极击穿电压U(BR)DS=100V,最大漏极功耗PDM=79W,漏-源通态电阻RDS(ON)=80mΩ,跨导gFS=11S,导通时间tON=36ns,关断时间tOFF=12ns。3 结语

  等新产品;而LinkSwitch系列高效率恒压/恒流式三端单片开关电源、LinkSwitch-TN系列及DPA-Switch系列单片开关电源的问世,为实现中、小功率特种开关电源的优化设计创造了有利条件。

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  速整流器设计用于开关电源,逆变器和续流二极管。 特性 超快60纳秒恢复时间 150°C工作结温 环氧树脂符合UL94,V O @ 1/8“ 高温玻璃钝化结 低泄漏量@ 150°C外壳温度 当前降级@案例和环境温度 电隔离。无需隔离硬件。 UL认可文件#E69369 机械特性: 案例:环氧树脂,模压 重量:1.9克(约) 表面处理:所有外表面耐腐蚀,端子引线易于焊接 焊接用铅温度:最高260°C 10秒钟 每个塑料管装运50个单位 标记:U1660 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  2 / MC33152是双同相高速驱动器,专为需要低电流数字信号以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS / LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括具有迟滞的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统不稳定运行。 典型应用包括开关电源,DC-DC转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 该器件提供双列直插和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  71是一款高速双低侧MOSFET驱动器。它能够在米勒平台区域提供高达5 A峰值电流的容性负载的大峰值电流,以帮助降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。该设备提供启用功能,为用户提供比各种应用中现有解决方案更好的控制。该器件采用MSOP8-EP封装,SOIC8封装,DFN8 2 mm x 2 mm封装和WDFN8 3 mm x 3 mm封装。 特性 优势 高电流驱动能力(+/- 5 A ) 能够驱动各种MOSFET TTL / CMOS兼容输入,与电源电压无关 在各种应用程序中易于实现 为每个驱动程序启用合并功能 允许用户更好地控制应用程序 引脚与最流行的现有行业标准双MOSFET驱动器兼容 代替现有的插座具有附加功能的额外好处ality 输入电压从4.5V到20V 两个输出可以并联以获得更高的驱动电流 应用 终端产品 开关电源 电信和服务器电源 同步整流器 DC / DC转换器 功率因数校正 电机驱动程序 基站 网络和通信设备 eMeters 汽车信息娱乐系统 摄像机,安防和监控设备 计算和消费类电子产品 电路图、引脚图和封装图...

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  NCV1117 线系列是低压差(LDO)正线性稳压器,能够提供超过1.0 A的输出电流,在800 mA的温度范围内最大压差为1.2 V.该系列包含八个1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V的固定输出电压,无需维持稳压的最小负载要求。还包括可调输出版本,可通过两个外部电阻在1.25 V至18.8 V范围内进行编程。片上微调可将参考/输出电压调整到+/- 1.0%精度。内部保护功能包括输出电流限制,安全工作区补偿和热关断。 NCP1117系列可以在高达20 V的输入电压下工作。器件采用SOT223和DPAK封装。 特性 输出电流超过1.0 A 在800 mA过温时的1.2 V最大压差 固定输出电压为1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V 可调节输出电压选项 无固定电压输出设备的最小负载要求 参考/输出电压调整为+/- 1.0% 电流限制,安全操作和热关断保护 操作至20 V输入 无铅封装可用 应用 消费和工业设备监管点 2.85 V版本的有源SCSI端接 开关电源后置调节 硬盘控制器 电池充电器 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

  00是一款3.0A超低压差系列线性稳压器,可提供低压,大电流输出,并且外部元件数量最少。它具有高精度,超低压差(典型值为300mV,3.0安培负载),同时还提供极低的接地电流。该器件的输入工作电压范围为2.25V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。 NCP59301产品具有额外的输出错误标志,采用5引脚D2PAK封装。 NCP59302还提供该系列的可调节版本。请联系您当地的销售办事处,了解您的具体要求。 特性 优势 在1.5 A输出时典型压降为175 mV,在3.0 A负载下典型压降为300 mV。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 最小化功率调节器损失 输出端陶瓷电容器稳定 避免使用昂贵的极化钽电容器 适用于汽车应用的NCV版本 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 NC59301选件上可用的错误标志 发出故障信号系统。 输出电流超过3安培 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和...

  NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

  02是一款高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于300 mV,负载电流为3.0 A 。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP59302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 在完整的3.0 A负载下300 mV典型的压差。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 可最大限度地降低功率损耗调节器 在输出端使用陶瓷电容器稳定 避免昂贵的极化钽电容器 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 用于FPGA,DSP和处理器的负载 开关电源后调节 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...

  50系列是一款高精度,极低压差,低接地电流的正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差低于300 mV。该器件的输入工作电压范围为2.24V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。该器件可用作可调稳压器(NCP59152)或固定电压选项(NCP59150和NCP59151)。 NCP59151器件包括一个使能功能和一个输出错误标志。 特性 优势 输出电流超过1.5安培 低电压下的高电流输出 750 mA时175 mV典型压差1.5 A处的输出和300 mV典型压差 生成辅助电源轨而无需使用切换调节器 低接地电流 - 在1.5 mA负载下典型值为40 mA 最大限度地减少调节器的功率损耗 在输出端使用陶瓷电容器稳定 昂贵的钽电容器的成本效益解决方案 适用于Aut的NCV版本omotive应用 符合AECQ100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18V 适用于汽车和网通应用程序 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 汽车模块 电路图、引脚图和封装图...

  00系列是高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于370 mV,负载电流为3.0 A这些器件采用钽输出电容稳定。该系列最初由可调输出电压版本组成,未来计划采用固定电压版本。 NCP58300系列可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。 5引脚版本提供逻辑电平使能和错误标志引脚。 NCP58302是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 完全3.0 A负载时370 mV典型压差 无需使用开关调节器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3.0 A负载下典型值为50 mA 最大限度地降低稳压器的功率损耗 输出上的钽电容稳定 指定使用钽电容稳定 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AEC-Q100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18 V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...

  NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

  02是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差为315 mV at 3.0负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP57302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 输出电流超过3.0 A 全3 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 315 mV 3.0 A时的典型压差电压 可调节输出电压范围1.24 V至13 V 低接地电流 快速瞬态响应 开关电源后调节 陶瓷输出电容稳定 逻辑兼容使能引脚 电流限制,反向电流和热量关机保护 工作电压高达13.5 V 汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 工业标准MIC29300,MIC39300,MIC37300的功能替代,具有改进的最小输入电压规格 消费者和工业设备点监管 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻辑电源 电池充...

  52是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差为330 mV at 1.5负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能和错误标志引脚可用。 NCP57152是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5和DFN8封装。 特性 输出电流超过1.5 A 1.5 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 330 mV典型压差电压1.5 A 可调输出电压范围从1.24 V到13 V 低接地电流 快速瞬态响应 陶瓷稳定输出电容器 逻辑兼容使能和错误标志引脚 电流限制,反向电流和热关断保护 高达13.5 V输入电压的操作 NCV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 具有改进的最小输入电压规格的工业标准MIC29150,MIC39150,MIC37150的功能替换 消费者和工业设备监管点 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻...

  MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

  8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

  A PWM控制器用于控制所有类型的开关电源,可提供更高的性能和更少的外部元件数量。片内+5.1 V基准电压调整为+/- 1%,误差放大器的输入共模电压范围包括参考电压,因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入使多个单元可以从属,或者单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在CT和放电引脚之间的单个电阻可以编程大范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路,仅需外接定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级,通过脉冲关断的PWM锁存器提供瞬时关断,以及具有更长关断命令的软启动循环。当VCC低于标称值时,欠压锁定会禁止输出和软启动电容的变化。输出级采用图腾柱设计,能够吸收和输出超过200 mA的电流。 SG3525A的输出级具有NOR逻辑,导致关闭状态的低输出。 特性 8.0 V至35 V操作 5.1 V +/- 1.0%修剪参考 100 Hz至400 kHz振荡器范围 单独的振荡器同步引脚 可调节死区时间控制 输入欠压锁定 锁存PWM以防止多个脉冲 逐脉冲关机 双源/灌电流输出:+/- 400 mA峰值 无铅封装可用* 应用 半桥 推拉式 电路图、引脚图和封装图...

  ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

  ACPL-W346是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-W346具有IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中V IORM = 1140Vpeak的最高绝缘电压,并且通过5000 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 2.5 A最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟 50 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV / s最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作V CC 范围:10工作温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 持续1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 Vpeak 可用选项...

  ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

  ACPL-P340 / ACPL-W340 g 驱动光电耦合器包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。此栅极驱动 光耦非常适合驱动电源 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET 。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 功能 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差异 LED电流输入迟滞 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可375...

  HCPL-5121是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04204购买。 。 HCPL-5121在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的IGBT。对于具有更高额定值的IGBT,HCPL-5121可用于驱动分立功率级,从而驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA标准微电路图 2.0 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV / s在VCM = 1000 V 0.5 V最大低电平输出电压 I...

  HCPL-5151是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04205购买。 。 HCPL-5151在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-5151可用于驱动分立功率级,驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA标准微电路图 0.5 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /微; s,在VCM = 1000 V 1.0 V最大低电平输出电压 Icc = 5mA最大电源...

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